Laboratorio de Electrónica "C"

Universidad Simón Bolívar

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UNIVERSIDAD SIMÓN BOLÍVAR

DEPARTAMENTO DE ELECTRÓNICA Y CIRCUITOS

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE CONTROL DE POTENCIA

CÓDIGO: EC-6131


Contenido de la materia:

Contenido de la materia
1.1. Introducción a los dispositivos electrónicos de control de potencia
1.2. Introducción de potencia, factor de potencia, distorsión
1.3. Introducción de fuentes ideales
1.4. Introducción: El silicio y los semiconductores emergentes
1.5. Tipos de dispositivos electrónicos de control de potencia
2. Conceptos básicos. Mapas de operación
2.1. Dispositivos no controlados. Diodos de potencia
3.1. Dispositivos semi controlados. Tiristores
3.2. Dispositivos semi controlados. Tipos de tiristores
3.3. Circuitos de disparo para tiristores
3.4. Circuitos de protección contra exceso de dV-dt para tiristores
4.1. Consideraciones comunes a diodos y tiristores
4.2. Conexión de diodos y tiristores en serie o paralelo
5.1. Dispositivos completamente controlados. Conmutación con cargas inductivas. Pérdidas en conmutación
5.2. Dispositivos totalmente controlados. Reducción de pérdidas en conmutación dura
6. Dispositivos totalmente controlados. Tiristores apagados por compuerta, GTOs
7. Dispositivos totalmente controlados. Transistores bipolares de juntura de potencia, BJTs
8. Dispositivos totalmente controlados. Transistores de efecto de campo de compuerta aislada de potencia, PowerMOSFET
9. Dispositivos totalmente controlados. Transistores bipolares de compuerta aislada, IGBT
10. Dispositivos totalmente controlados emergentes. Tiristores controlados por compuerta aislada
11.1. Consideraciones generales. Disipación de calor
11.2. Criterios de diseño de circuitos de manejo para conmutadores completamente controlados
11.3. Consideraciones generales. Protección contra sobre-corrientes
11.4. Consideraciones generales. Protección contra sobretensiones en la entrada
11.5. Consideraciones generales EMI y EMC Ruido Eléctrico II
11.6. Criterios de diseño de circuitos de manejo para conmutadores completamente controlados
12.1. Componentes pasivos. Conductores
12.2. Componentes pasivos Resistencias y termistores
12.3. Componentes pasivos. Inductancias
12.4. Componentes pasivos. Cálculo de circuitos magnéticos
12.5. Componentes pasivos. Transformadores
12.6. Componentes pasivos. Condensadores
12.7. Componentes pasivos. Supercapacitores

Hojas de especificaciones de dispositivos totalmente controlados:

Temas Hojas de especificaciones
Optoacopladores 83701
FOD0710
FOD8012
HCPL-4534-0534
vo0600t
Guía de optoacopladores
BJT
BU323Z
BU941
D62T_200 A 400-500V
MJE5740
PT-4500
Transistores PowerTech
IGBT
CM100RL-24NF
CM400DY-66H
CM750HG-130R
CM1000DUC-34SA
CM1400DUC-24S
CM2400HC-34H
FF450R12IE4
Modulo IGBT 6.5 KV
FZ600R65KF1
FZ1200R33KF2C
FZ3600R17KE3
IFS75B12N3E4_B31
IKW40N120H3
IXBH40N160
GTO 5SGA 40L4501
5SGT30J6004
BTV 60 Series
FG6000AU-120D
IGBT ultra rápidos DS_IKP_IKW40N65F5
DS_IKP_IKW40N65H5
TRENCHSTOP5
IGCT 5SHY-30L6010
5SHY-42L6500
5SHY-55L4500
Power MOSFET SiC
CAS300M17BM2
SCH2080kE
SCT2160KE
SCT2450KE
Power MOSFET Silicio
BSM120D12P2C005
BSM180D12P2C101
SKM120B020
SKM181
SKM254F
TK20V60
Dispositivos emergentes Turn-off thyristor
Power MOSFET Gan TGF2023-2-20